本发明涉及几种GaN基发光管及其制备方法。

器件由衬底、衬底上外延生长的n型GaN缓冲层和下限制层2、GaN材料系多量子阱发光层3 、P型GaN上限制层4、P型TnxGa1-xN盖层5 、上电极6，下电极7构成，特征在于： 上电极6制备成兼有反射镜功能，在盖层5和上电极6之间生长一层p型lnyGa1-yN位相匹配层8 ，衬底1是n型Sic单晶衬底，在衬底1下面制备一层zno薄膜9或再制备一层zno纳米线11 ，电极7只是覆盖5%~20%面积制备在衬底1下面。 

利用Sic衬底晶格和GaN匹配较好，导电和导热性能都比较好，价格适中的优点，提供一种新型大功率Sic衬底垂直结构发光管及其制备方法。成果可应用于节能的半导体照明领域，市场前景广泛。