本发明涉及一种基于晶格匹配的GAXINI-xAs1-ysby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池。器件结构如图所示。

本发明的优点： 米用N型宽禁带Gaxnil-x1As1-ylsbyl/P/P-型窄禁带Gax21n1-7c2As1-y2sby2异质结作为器件的有源区，由于异型异质结的P区和叭区费米能级之差更大，内建电场更高，因此可以提高电池的开路电压；采用P+型宽禁带Gx31n1-x3As1-y3sby33作为限制层，能够提供限制P-型窄禁带G邯已n1-x2As1-y2sby2有源层少子的的正面电场，因此可以降低少子的界面复合几率，提高电池的光电转换效率；充分利用Gxlnl-mbsl-ysby四元半导体可独立选择禁带宽度和晶格常数的灵灵活性，采用晶格匹配的多层异质结提高热光伏电池的性能。

本发明属于热光伏技术领域，应用于低温辐射器热光伏系统，稳定性好，安全系数高，可以应用于航天、军事、工业、生活等领域，应用前景广泛。