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一种基于Gaxmt-xAs1-rsby叫元半导体的异质结热光伏电池
新能源 0 2018-03-07 1257

本发明涉及一种基于晶格匹配的GAXINI-xAs1-ysby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池。器件结构如图所示。

本发明的优点: 米用N型宽禁带Gaxnil-x1As1-ylsbyl/P/P-型窄禁带Gax21n1-7c2As1-y2sby2异质结作为器件的有源区,由于异型异质结的P区和叭区费米能级之差更大,内建电场更高,因此可以提高电池的开路电压;采用P+型宽禁带Gx31n1-x3As1-y3sby33作为限制层,能够提供限制P-型窄禁带G邯已n1-x2As1-y2sby2有源层少子的的正面电场,因此可以降低少子的界面复合几率,提高电池的光电转换效率;充分利用Gxlnl-mbsl-ysby四元半导体可独立选择禁带宽度和晶格常数的灵灵活性,采用晶格匹配的多层异质结提高热光伏电池的性能。

本发明属于热光伏技术领域,应用于低温辐射器热光伏系统,稳定性好,安全系数高,可以应用于航天、军事、工业、生活等领域,应用前景广泛。

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